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2月26日消息，據(jù)快科技報道，目前高端旗艦手機采用的閃存芯片大都是eMMC 5.0規(guī)范的產(chǎn)品，速度足夠快，但可惜還是要落伍了。

在eMMC 5.0之上，還有速度更快的UFS標(biāo)準(zhǔn)，它支持“命令隊列（Command Queue）”技術(shù)，常用于固態(tài)硬盤中，通過串行接口加快命令執(zhí)行速度，與采用8位并行接口的eMMC標(biāo)準(zhǔn)相比，數(shù)據(jù)處理速度得到大幅提高。

三星今天宣布推出了業(yè)內(nèi)首款UFS 2.0標(biāo)準(zhǔn)的128GB閃存芯片，隨機讀取速度達到19000 IOPS，是eMMC 5.0的2.7倍（7000 IOPS），隨機寫入速率高達14000 IOPS，是一般外置存儲卡的28倍。

持續(xù)讀寫速度方面，三星沒有公布具體的數(shù)據(jù)，但表示已經(jīng)接近普通SSD的水平了，同時功耗能降低50%。

才外，該閃存還采用了嵌入式堆疊封裝（ePoP)技術(shù)，可直接堆疊在邏輯芯片上，節(jié)省約50%的空間。

該閃存有32、64以及128GB三種容量可選，傳統(tǒng)的16GB已經(jīng)不見蹤影了?？梢灶A(yù)見的是，它未來很有可能成為旗艦產(chǎn)品的標(biāo)配（處理器需要支持UFS標(biāo)準(zhǔn)），在即將到來的Galaxy S6上我們很有希望看到它。